芯耀
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近期，国内多家碳化硅企业相继实现8英寸SiC晶圆投产，表明国内碳化硅产业正在加速迈向8英寸晶圆时代：
株洲中车：8英寸SiC晶圆产品亮相，生产良率高于6英寸产品；
派恩杰半导体：8英寸SiC晶圆采用了3.5um元胞尺寸的平面栅SiC MOSFET技术；
飞锃半导体：发布8英寸车规级碳化硅主驱MOSFET晶圆，Rspon低至1.8mΩ?cm?；
芯合半导体：8英寸SiC晶圆流片成功，良率达到97.26%。
株洲中车：8英寸SiC晶圆亮相
近期，株洲中车在展会上亮相了8英寸SiC晶圆产品，并透露其生产良率已经高于6英寸，且均匀性更好。此外，他们的3300V SiC晶圆也已量产，将加速市场推广进程。
据“行家说三代半”此前报道，株洲中车董事长、执行董事李东林曾在业绩说明会上透露，株洲三期碳化硅产线于2024年11月份启动建设，2025年5月实现主体厂房封顶，预计2025年下半年启动设备搬入，2025年底有望实现产线拉通，该项目为8英寸SiC晶圆。
李东林进一步透露，株洲中车还拥有一条6英寸SiC芯片产线，当前已具备年产2.5万片6英寸SiC芯片产能。目前SiC重点产品包括3300V高压平面栅SiC MOSFET、1200V精细平面栅SiC MOSFET，1200V SBD等，1200V沟槽栅 SiC MOSFET性能指标基本对标国际龙头企业。
派恩杰半导体：8吋SiC晶圆元胞尺寸3.5um
近期，派恩杰半导体在展会上重点展出众多面向光伏和储能等领域的碳化硅产品，其中包括采用了最新一代的3.5um元胞尺寸的平面栅SiC MOSFET技术的8英寸晶圆、1700V和2000V的SiC MOSFET等产品。
据了解，2018年派恩杰推出全球首款5μm以下元胞尺寸的平面栅碳化硅MOS器件，元胞尺寸仅为4.8μm。今年3月，派恩杰基于第二代3.5μm元胞的多款碳化硅MOS产品相继问世，目前已在光伏储能头部客户中实现批量化应用。根据技术路线图，派恩杰的下一代产品元胞尺寸将迈入2.x微米时代。
接下来，派恩杰晶通过8英寸大晶圆，并叠加最新一代的3.5um元胞尺寸的平面栅技术，并通过优化制程工艺等核心技术，使得碳化硅晶圆有效利用率持续提高，在提升晶粒的性能指标的同时，持续降低SiC器件的成本。
飞锃半导体：8英寸主驱SiC晶圆亮相
近期，飞锃半导体在官微透露，他们已正式发布8英寸车规级碳化硅主驱MOSFET晶圆。据悉，飞锃半导体与国内头部代工厂深度合作，推出了GEN4 1200V/10mΩ?车规级碳化硅主驱5×5mmMOSFET晶圆， 是国内首批全自动 8 英寸车规级碳化硅晶圆产线之一。
飞锃半导体表示，他们在此次合作中不仅提供了核心的芯片设计技术，还深度参与代工厂产线的工艺开发与设备调试，助力其完成 8 英寸碳化硅关键工序的通线验证。
值得关注的是，8英寸Gen4 1200V/10mΩ 5×5mm车规级碳化硅产品Rspon低至1.8mΩ?cm?，在175度下的Rdson为18 mΩ，具备更高的阈值电压（Vth），更软的体二极管特性，更强的抗串扰能力，综合性能在国内平面工艺位居前列，比肩欧美厂商的先进水平，极具竞争力。
目前该产品已在终端客户验证阶段，预计于2026年正式投入量产，将为高可靠性功率系统提供更高性价比的碳化硅解决方案。
芯合半导体：8英寸SiC晶圆流片成功
近日，据芯合半导体官微透露，他们在合肥举行总部基地启用仪式，标志着芯合半导体在完善产业布局、提升研发与制造能力的征程上迈出关键一步。
芯合半导体总经理赵清、首席科学家王敬等透露，随着合肥总部基地正式启用 ，8吋产线首次流片即取得芯片良率97.26%的佳绩。
此外，合肥基地的启用将带来三方面显著优势：一是八吋线将摆脱北京产线的空间与设备限制；二是依托八吋线的规模经济效应，预计在2026年将展现出更强的成本优势；三是合肥基地能更贴近市场、快速响应客户需求。
