芯耀
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近日，“行家说三代半”发现，国内又有两家企业披露了12英寸碳化硅技术的最新进展。这一动态进一步印证，12英寸碳化硅技术正加速落地，其应用场景也在持续拓展。
晶驰机电：12英寸SiC生长炉完成交付
10月28日，据“晶驰机电”官微消息，他们近期已陆续向多家SiC衬底生产厂商和光学厂商交付 ATSIC-300 型电阻法12英寸SiC单晶生长炉。与此同时，该设备还在某知名衬底厂商快速跑通工艺，迎来产线上首颗全尺寸12吋SiC单晶晶体下线。
据介绍，这款12英寸SiC单晶生长炉优势显著，不仅可兼容6英寸、8 英寸、12 英寸多尺寸生产，适配导电型、半绝缘型与光学级SiC晶体，还具备多温区配置、能耗低（功率因数高）、热场稳定性好且使用寿命长等特点。
据“行家说三代半”此前报道，今年3月，晶驰机电宣布他们在12英寸碳化硅晶体生长技术上取得新进展，成功开发出电阻法12英寸碳化硅晶体生长设备。
据悉，该设备成功突破同一炉台多尺寸生长技术壁垒，实现了同一台设备既可稳定量产8英寸碳化硅单晶，又完全具备生长12英寸碳化硅单晶的能力。
科友半导体：12 英寸SiC单晶制备再获突破
10月27日，据“科友半导体”官微消息，他们于10月中旬在第三代半导体材料领域取得重大进展，成功制备12英寸半绝缘碳化硅单晶。这一成果不仅标志着科友半导体在12英寸碳化硅装备与材料技术上实现了新的跨越，更为后续产业化应用奠定了坚实基础。
值得关注的是，此次突破并非科友半导体在该领域的首次发力。据“行家说三代半”此前报道，今年9月，他们依托自主研发的12英寸碳化硅长晶炉及热场技术，成功制备出12英寸碳化硅晶锭，实现了从设备到材料的全面自主突破。
对于这一成果，科友半导体表示，他们成功制备出12英寸碳化硅晶锭，可大幅提升芯片产出量、显著降低单位成本，将为新能源、通信、AR等战略产业注入更强发展动力。
22家厂商布局12英寸SiC：衬底与设备齐发力
据“行家说三代半”统计，截至目前，已有22家企业公布了12英寸碳化硅技术进展。
全球12英寸碳化硅技术进展，来源：行家说《第三代半导体产业季度内参》
衬底端：天岳先进、天科合达、烁科晶体、同光半导体、合盛新材料、浙江晶瑞、晶驰机电等厂商相继展示了12英寸SiC晶锭和衬底，包括导电型衬底、高纯半绝缘衬底、光学级衬底、热沉级衬底、多晶衬底。
设备端：大族半导体、西湖仪器、天成半导体、晶驰机电、天晶智能、力冠微电子等厂商相继公布了12英寸SiC工艺设备，聚焦长晶工艺、衬底加工等方面。
不过，从业界反馈来看，8-12英寸的碳化硅扩径和高良率生长，离不开粉料、石墨件、籽晶粘接、长晶、切磨抛等耗材和设备企业的技术支持。目前，“行家说三代半” 正在开展《2025 碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》的调研工作，该白皮书将聚焦大尺寸单晶生长的工艺突破，欢迎各大企业参与编写，参编咨询可联系许若冰（hangjiashuo999）。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
