芯耀
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近期，“行家说三代半”发现多家碳化硅企业披露了合作进展：
昕感科技+山东浪潮：浪潮智能终端产业联盟成立，双方将进一步围绕碳化硅技术为智能终端产业链提供智慧能源解决方案；
深圳平湖实验室+西安理工大学：双方联合研究取得新进展，提出并制备了一种具备反向导电特性的新型4H-SiC光控晶体管（RC-OCT）；
清纯半导体+新基业：围绕商用车热管理系统专用碳化硅芯片领域，双方将建立长期战略合作伙伴关系；
鸿扬半导体+LTSCT：双方将共同开发用于汽车、工业和能源应用的650V至3300V的高压碳化硅晶圆。
昕感科技+山东浪潮：以SiC技术进一步深化智能终端合作
10月24日，据“昕感科技”官微消息，昕感科技出席2025浪潮智能终端合作伙伴大会，并参与浪潮智能终端产业联盟成立仪式。据介绍，昕感科技将进一步以碳化硅技术，深化与山东浪潮在智能终端领域的产业协作，与山东浪潮及联盟企业共同定义产品、共建技术标准。
自合作以来，昕感科技围绕碳化硅技术为智能终端产业链提供智慧能源解决方案，依托自主研发的碳化硅产品加速推战略升级。大会现场，昕感科技还被山东浪潮授予大会最高荣誉“钻石生态合作奖”与“优质供应商”称号。
据悉，自2020年成立以来，昕感科技便聚焦于SiC功率器件和功率模块的技术突破创新与产品研发生产。
深圳平湖实验室+西安理工大学：在SiC光控晶体管研制方面取得进展
深圳平湖实验室于10月23日官宣，在SiC光控晶体管研制方面，他们与西安理工大学的合作取得新进展。
具体来看，深圳平湖实验室与西安理工大学功率半导体器件及装备创新团队在国际权威期刊IEEE Electron Device Letters（EDL）上发表题为“Pulsed Characterization of 1.2 kV SiC Optically Controlled Transistor With Reverse Conducting Performance”的论文，提出并制备了一种具备反向导电特性的新型4H-SiC光控晶体管（RC-OCT）。
该研究创新性地将SiC光控晶体管（OCT）与PiN二极管结构单片集成，构建出可实现正向阻断与反向导通的复合结构，并成功制备原型器件，有效改善了关断特性并提升了脉冲响应速度，为高功率脉冲应用提供了新方案。
深圳平湖实验室表示，这一研究成果为SiC光控晶体管在脉冲功率开关器件中的应用提供了实验基础与设计思路，对推动SiC光控器件向更高电压、更高功率、更快速度方向发展具有重要意义。
清纯半导体+新基业：共拓商用车热管理SiC芯片新赛道
据“新基业”官微最新消息，该公司与清纯半导体在商用车热管理系统专用碳化硅芯片领域建立长期战略合作伙伴关系，双方将围绕联合研发与创新、产业应用与落地、市场推广与生态共建三个维度展开深度合作。
他们将共同开发适用于商用车热管理系统的专用碳化硅芯片，并通过建立联合研发中心和测试验证平台、打造“芯片+系统+整车”的全链条合作示范案例等举措来进一步加速应用落地及生态共建。
官微显示，清纯半导体拥有一流的碳化硅功率芯片设计与制造技术，具备成熟的产线和稳定的供应保障能力，在碳化硅器件的性能优化、良率提升和应用适配上积累了深厚经验。新基业则在商用车热管理系统研发、制造、集成和市场推广方面具备优势，拥有覆盖国内外市场的客户资源和行业应用经验，并在产品可靠性验证与整车匹配上形成完整能力。
鸿扬半导体+LTSCT：开发650V至3300V的高压SiC晶圆
据外媒报道，鸿扬半导体与印度半导体厂商LTSCT建立了长期合作伙伴关系，双方将共同开发用于汽车、工业和能源应用的650V至3300V的高压碳化硅晶圆，这些晶圆将在鸿扬半导体位于台湾的制造工厂生产。
LTSCT首席执行官Sandeep Kumar博士透露，“此次合作的650V至3300V的高压碳化硅晶圆，是SiC MOSFET和肖特基势垒二极管（SBD）等高压功率器件的基础，这些组件是高效电源转换的关键推动因素，并且由于更低的开关损耗、更好的热性能和更高的系统效率，将在未来取代下一代系统中的传统硅基器件，如IGBT和MOSFET。”
据悉，鸿扬半导体为富士康旗下子公司，以SiC晶圆制造与代工服务为核心业务，其SiC MOSFET主要导入电动车领域，SiC二极管主要导入电源管理应用。LTSCT是印度工程集团Larsen&Toubro Ltd.的全资子公司，其此前计划投资100亿-120亿美元，在未来5到10年内在印度建立三个半导体制造工厂，分别专注于硅、碳化硅和氮化镓技术。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
