英诺赛科/英飞凌GaN创新：1200V；集成二极管

英诺赛科：发布1200V高压GaN器件

4月14日，英诺赛科（02577）发布公告，宣布自主开发的1200V氮化镓（GaN）产品已实现量产。

据介绍，该产品凭借其宽禁带特性，在高压高频场景中展现出显著优势，具备零反向恢复电荷的核心优势，有助于进一步推动能源转换系统的效率提升和小型化，可广泛应用于新能源车、工业及AI数据中心等领域。具体来看，该产品的突破性设计不仅解决了800V电动汽车平台的车载充电系统效率瓶颈——通过缩小设备体积延长续航里程，还支持AI数据中心的高压总线架构，实现服务器电源的高密度电能转换。

目前，该产品已经过客户验证，并在中大功率电源方面实现量产，未来将进一步应用于新能源汽车和AI数据中心等领域。值得一提的是，英诺赛科已确认参编《2024-2025氮化镓（GaN）产业调研白皮书》，届时将在白皮书中披露更多先进GaN技术的最新进展。其他参编单位还包括能华半导体、致能半导体、京东方华灿光电、镓奥科技等，欢迎更多GaN领域的行家企业加入，一同推动氮化镓产业的进步。

英飞凌：推出集成化GaN方案

同日，英飞凌官网宣布推出全球首款集成肖特基二极管的工业用氮化镓（GaN）功率晶体管。

据介绍，该产品通过消除传统方案中的死区时间损耗，将系统效率额外提升5%；该集成解决方案简化了功率级设计并降低了 BOM 成本。
英飞凌透露，首款量产的100V/1.5mΩ型号采用紧凑的3×5mm封装，适用于服务器和电信 IBC、DC-DC 转换器、USB-C 电池充电器的同步整流器、大功率 PSU 和电机驱动器。本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。