MRF6V10250HSR3 1090 MHz, 250 W, 50 V Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET

2023/04/25 作者：恩智浦

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MRF6V10250HSR3 1090 MHz, 250 W, 50 V Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET

RF Power transistor designed for applications operating at frequencies between 1030 and 1090 MHz, 1% to 20% duty cycle. This device is suitable for use in pulsed applications.

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恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

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