MHPA21010N 2110-2170 MHz, 10 W, 23.7 dB RF High Power LDMOS Amplifier - Archived

2023/04/25 作者：恩智浦

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MHPA21010N 2110-2170 MHz, 10 W, 23.7 dB RF High Power LDMOS Amplifier - Archived

Designed for Class AB amplifier applications in 50 ohm systems operating in the UMTS frequency band. A silicon FET design provides outstanding linearity and gain.

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恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

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