MRF7S16150HR3, MRF7S16150HSR3, 1600-1660 MHz, 32 W Avg., 28 V, WiMAX Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

2023/04/25 作者：恩智浦

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MRF7S16150HR3, MRF7S16150HSR3, 1600-1660 MHz, 32 W Avg., 28 V, WiMAX Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

Designed for WiMAX base station applications with frequencies up to 1700 MHz. Suitable for WiMAX, WiBro, BWA, and OFDM multicarrier Class AB and Class C amplifier applications.

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恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

MRF7S16150HR3, MRF7S16150HSR3, 1600-1660 MHz, 32 W Avg., 28 V, WiMAX Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

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