MHV5IC1810NR2 1805-1990 MHz, 5 W Avg., 28 V GSM/GSM EDGE RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier

2023/04/25 作者：恩智浦

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MHV5IC1810NR2 1805-1990 MHz, 5 W Avg., 28 V GSM/GSM EDGE RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier

The MHV5IC1810N wideband integrated circuit is designed with on-chip matching that makes it usable from 1805 to 1990 MHz. This multi -stage structure is rated for 24 to 32 Volt operation and covers

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恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

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