半导体封装：μbump工艺

μbump一般是通过电镀工艺来实现的，它和传统焊球的制作方式不同，更强调在晶圆级上直接形成尺寸更小、间距更密的凸点结构。最常见的方法是先在晶圆表面沉积一层金属种子层，这层金属为后续的电镀提供导电通路。然后在晶圆上涂布光刻胶并通过曝光显影来定义出微凸点的位置和大小。电镀过程会在开口区域沉积铜、金或者锡合金，逐渐长成微小的凸点结构。完成电镀后再去除光刻胶，同时通过剥离或刻蚀方式清除多余的种子层，凸点就会以非常规则的阵列形式留在晶圆表面。为了保证表面光滑和平整，有时还需要经过退火或者化学机械抛光步骤。

在一些工艺中，也会使用焊膏印刷和回流来实现μbump，尤其是当互连间距要求没有那么严苛时，焊膏在回流过程中会因为表面张力而自然形成球形的微凸点。

还有少数应用会直接使用预成型的微小焊球，通过精密对准和热压贴装在晶圆表面，之后再回流固定。不同工艺方式之间的选择，往往取决于器件所需的互连密度、材料体系以及可靠性要求。

总体来看，电镀依然是主流，因为它在尺寸控制和一致性方面更有优势。

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