半导体工艺：Ashing

Ashing是一种在半导体制造过程中常见的清洗工艺，它的核心目的是去除晶圆表面上残留的光刻胶。这个过程依赖于等离子体的反应活性，通常使用氧气等离子体将光刻胶这种有机材料“燃烧”成气态的CO和CO?，从而彻底清除干净。这种方式被称作“干法清洗”，区别于湿法清洗中液体溶剂的溶解过程。

在整个芯片制造流程中，光刻胶只是一个暂时性的掩膜材料，它在完成其任务之后必须被完全移除。如果残留，会严重影响后续步骤，尤其是在沉积、刻蚀或离子注入之前。Ashing的重要性就在于，它可以高效、选择性地去除光刻胶，同时避免对晶圆上其他结构的损伤。

虽然它看起来像是在刻蚀，但与真正意义上的刻蚀不同，Ashing并不追求图形转移或材料减薄，它只是为了恢复一个干净、无污染的表面。这种处理对芯片良率有着直接影响，特别是在先进制程中，每一个残留都可能成为缺陷的起点。

在整个洁净室的逻辑中，Ashing是一种“后退一步”的技术，它不是为了构建，而是为了清除，为了让每一步都回到最干净、最初的起点。正因为如此，它常常被埋没在光刻、刻蚀、沉积等主工艺之后，却又不可或缺。

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