半导体工艺中，什么是倒角工艺？

在半导体制造的舞台上，硅片经历了从晶体切割到功能器件的蜕变。切割后的硅片边缘锐利、表面布满损伤层、内部潜藏应力与氧杂质，这些问题直接影响芯片性能与良率。为此，三道关键工艺——倒角、研磨与热处理——如同精密的雕刻刀，共同塑造出符合严苛要求的硅晶圆。

倒角：为边缘披上铠甲

硅片边缘的锋利与微观缺陷是潜在的“脆弱地带”，极易在后续工序中引发崩裂。倒角工艺正是为此而生。

高速旋转（6000-8000r/min）的金刚石砂轮精准摩擦硅片边缘，通过多级打磨（如800#粗磨至3000#精磨）形成光滑的R型或T型钝圆轮廓。这不仅消除了物理应力集中点，更大幅提升了硅片机械强度。

工艺核心在于精密控制：硅片中心定位误差需小于微米级，磨轮与硅片距离L必须满足L<R-d（R为硅片半径，d为偏移量），稍有偏差即可能导致“宽幅不均”或残留锐边。对于有参考面的特殊硅片，凸轮驱动取代常规圆周运动，确保每个不规则边缘都能被均匀打磨至Ra<0.04μm的超光滑状态。

研磨：重塑完美表面

切割后的硅片表面存在约30μm的损伤层（晶格畸变、划痕）。研磨的任务是将其剥离，为抛光奠基。双面研磨机是此阶段的“主力军”：上下高硬度磨盘反向旋转，携带着嵌入行星轮中的硅片做复杂复合运动。研磨的关键在于研磨浆——由SiC颗粒、水与弱碱性助磨剂按精密配比（10:20:4）调制而成。其中，SiC磨料（粒径10-14μm）负责切削；助磨剂中的表面活性剂防止颗粒团聚，同时与硅表面反应生成易去除的疏松氧化层；水流则承担冷却、润滑与排屑重任。

工艺参数如同交响乐的指挥棒：

浓度：研磨速率随SiC浓度先升后降，峰值浓度需通过实验优化。

压力：压强增大提升速率，但需分段控制以防硅片碎裂。

转速：高速虽提效，但需与压力平衡以避免表面划痕缺陷（如崩边、裂纹）。

最终，硅片厚度均匀性（TTV）从几十微米优化至<5μm，表面平整度实现质的飞跃。