PECVD 生成 SiO? 的反应方程式

在PECVD工艺中，沉积氧化硅薄膜以SiH?基与TEOS基两种工艺路线为主。IMD Oxide（USG）这部分主要沉积未掺杂的SiO?，也叫USG（Undoped Silicate Glass），常用于IMD（Inter-Metal Dielectric）。

SiH? + O? → SiO?

SiH? + N?O → SiO?

TEOS + O? → SiO?

TEOS + N?O → SiO?

这些都通过 RF激发来沉积 SiO?。

也包括：SiH? + O? → SRO，SRO又名富硅氧化物，Si:O 的原子比大于 1:2，调节 SiH? 与 O? 的比例，可以控制膜中硅的含量。

PMD Oxide

用于 PMD 层，一般掺杂磷（P）或硼（B）以调控应力和流动性。

SiH? + PH? + O? → SiO? + P?O? + H?

TEOS + TMP + O? → PSG

SiH? + PH? + B?H? + O? → SiO? + P?O? + B?O? + H?

TEOS + TMP + TEB + O? → BPSG

TEOS,TMP,TEB分别是什么？

1，TEOS（TetraEthyl OrthoSilicate）

中文名称：正硅酸四乙酯

分子式：Si(OC?H?)?

结构特征：

中心原子是硅（Si），连接四个乙氧基（OC?H?）；

易水解，常用于硅氧化物（SiO?）薄膜的前驱体。

2，TMP（TriMethylPhosphate）

中文名称：三甲基磷酸酯

分子式：PO(OCH?)?

结构特征：

中心是一个磷（P）原子，与一个双键氧（=O）和三个甲氧基（OCH?）相连；

是一种液态有机磷化合物。

3，TEB（TriEthylBorate）

中文名称：三乙基硼酸酯

分子式：B(OC?H?)?

结构特征：

中心原子是硼（B），连接三个乙氧基（OC?H?）；

易挥发，化学活性高。