芯耀
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如上图，这是一套典型的?高真空 Ion Beam Etch（IBE）系统结构图，该技术属于物理刻蚀方式，依赖氩气离子轰击晶圆表面进行材料移除。
主要组成模块与功能详解：
① ?Gas Supply（Argon）
气源为?氩气（Ar），经绿色标注部分导入系统。
作用：氩气注入后电离成 Ar? 离子，作为物理刻蚀“子弹”轰击样品。
② ?Ion Source 部分（右侧）
Cathode（红色部分）：电子发射源（电热或射频），用于激发气体。
Grid（栅极）：控制和加速离子方向与能量。
Beam Supply / Accelerator Supply：提供离子加速电压，使离子束定向轰击。
最终输出一束 定向性强、能量可控的离子束（Ar?）。
③ ?Ion Beam（离子束）
由 Grid 加速出的离子束沿直线方向打向左侧的 Substrate。
④?Substrate & Rotating Stage
Substrate：被刻蚀样品（如晶圆、膜层）。
Rotating Stage：可调角度（0°~90°）的旋转台，方便控制刻蚀方向和均匀性。
⑤?Neutralizer（中和器）
由于离子束为正电，样品表面会积累负电荷，影响刻蚀精度。
Neutralizer（蓝色圈部分）?发射电子，中和靶材表面电荷，防止电荷堆积导致束流偏转或刻蚀异常。
⑥?Vacuum System
Rough Vacuum Pump：前级泵（粗抽），先将腔体压力降低。
High Vacuum Molecular Pump：分子泵，进一步抽真空，维持 <10?? Torr 环境。
低压环境确保离子束不被中途碰撞散射，保持高方向性。
⑦ ?各类电源模块
AC Cathode Supply：为阴极提供能量。
Discharge Supply：触发放电以激发等离子体。
Beam Supply / Accelerator Supply：控制离子束能量。
Neutralizer Supply：提供中和电子电源。
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