MW6S010MR1, MW6S010GMR1 450-1500 MHz, 10 W, 28 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs - Archived

2023/04/25 作者：恩智浦

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MW6S010MR1, MW6S010GMR1 450-1500 MHz, 10 W, 28 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs - Archived

The MW6S010MR1 and MW6S010GMR1 are designed for Class A or Class AB base station applications with frequencies up to 1500 MHz. Suitable for analog and digital modulation and multicarrier amplifier

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恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

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