MRF9030LR1 945 MHz, 30 W, 26 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET

2023/04/25 作者：恩智浦

255

加入交流群

扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论

MRF9030LR1 945 MHz, 30 W, 26 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET

Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies up to 1000 MHz. The high gain and broadband performance of this device make it ideal for large-signal, common-source

原创声明：本文为恩智浦原创内容，未经书面授权，不得以任何方式加以使用。转载合作

人工客服
（售后/吐槽/合作/交友）

恩智浦

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

MRF9030LR1 945 MHz, 30 W, 26 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET

相关推荐