MRF18085ALSR3 1805-1880 MHz, 85 W, 26 V, GSM/GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFET

2023/04/25 作者：恩智浦

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MRF18085ALSR3 1805-1880 MHz, 85 W, 26 V, GSM/GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFET

Designed for GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 1800 to 2000 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN-PCS

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恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

MRF18085ALSR3 1805-1880 MHz, 85 W, 26 V, GSM/GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFET

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