MRF8P29300HR6, MRF8P29300HSR6 2700-2900 MHz, 320 W, 30 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs

2023/04/25 作者：恩智浦

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MRF8P29300HR6, MRF8P29300HSR6 2700-2900 MHz, 320 W, 30 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs

RF Power transistors designed for applications operating at frequencies between 2700 and 2900 MHz. These devices are suitable for use in pulsed applications.

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恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

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