ARCHIVED - AFT21H350W03SR6 AFT21H350W04GSR6 2110-2170 MHz, 63 W Avg., 28 V Airfast<sup>?</sup> RF Power LDMOS Transistors - Data Sheet

2023/04/25 作者：恩智浦

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ARCHIVED - AFT21H350W03SR6 AFT21H350W04GSR6 2110-2170 MHz, 63 W Avg., 28 V Airfast<sup>?</sup> RF Power LDMOS Transistors - Data Sheet

AFT21H350W03SR6 and AFT21H350W04GSR6 are 63 watt asymmetrical Doherty RF power LDMOS transistors designed for cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth capability

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恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

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