MMRF1310HR5, MMRF1310HSR5 1.8-600 MHz, 300 W CW, 50 V Broadband RF Power MOSFETs - Data Sheet

2023/04/25 作者：恩智浦

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MMRF1310HR5, MMRF1310HSR5 1.8-600 MHz, 300 W CW, 50 V Broadband RF Power MOSFETs - Data Sheet

The MMRF1310HR5 and MMRF1310HSR5 are high ruggedness devices and are designed for use in high VSWR military, industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital

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恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

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