SiGe:C low noise amplifier MMIC for LTE

2023/04/25 作者：恩智浦

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SiGe:C low noise amplifier MMIC for LTE

BGU8H1 SiGe:C low-noise amplifier MMIC for LTE 1. General description The BGU8H1 is, also known as the LTE1001H, a Low-Noise Amplifier (LNA) for LTE receiver applications, available in a small

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恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

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