台积电最大竞争对手来了, 2nm逻辑密度与台积电几乎持平

9月2日，据X平台用户Kurnalsalts爆料，日本 Rapidus的2HP工艺逻辑密度达到237.31百万晶体管/平方毫米（MTr/mm?），几乎与台积电N2的236.17 MTr/mm?持平，并且明显领先于英特尔18A的184.21 MTr/mm?。

据Kurnalsalts分享的细节来看，Rapidus 2HP?采用HD（高密度）单元库，单元高度138，间距G45。与台积电N2类似，两者都以高密度为目标，未来实际晶体管数量可能接近。

相比之下，英特尔虽然节点尺寸更小，但18A同样是基于HD库的密度测试。由于采用了BSPDN，占用了部分正面金属层，导致其逻辑密度偏低。

此前英特尔曾表示主要专注于性能/功耗指标，而不是非单纯的高逻辑密度，因此18A更多面向内部产品而非广泛代工市场。

此外，美国2nm晶圆代工也传来新消息。据悉三星在美国德州泰勒的2nm工厂重新启动建设，并且特斯拉高层将亲自督战。

最新消息显示，三星已确定9月和11月分两批部署工程师，负责生产线建设和工艺优化。

目前泰勒厂已具备洁净室条件，计划在第一阶段简称一条2nm生产线。预计到2026年底，月产能可达1.6万至1.7万片12英寸晶圆。

设备安装完成后，三星将先通过测试晶圆稳定工艺，再进入量产阶段，时间点可能落在2026年底至2027年初。

消息数据来源：X平台Kurnalsalts、wccftech