1.4nm，提前实现良率！

据消息人士透露，台积电的A14节点已提前实现了良率，重要的是，A14相比N2节点的预期性能提升。

据官方公布的细节，A14工艺相比即将量产的2nm（N2）会有非常显著的提升。在相同功耗下，A14 的速度可以提升大约15%。如果保持速度不变，功耗能下降30%左右。芯片逻辑密度也能提高20%，

这意味着在同样大小的芯片上，能塞进更多晶体管，性能和能效同时得到优化。

实现这些提升的关键在于，台积电采用了第二代GAAFET纳米片晶体管，同时引入了全新的NanoFlex Pro标准单元架构，让设计更加灵活，也让性能更上一层楼。

据悉，该工艺预计会在2028年量产，苹果、AMD、英伟达等客户被认为是潜在的客户。

台积电的A14和16路线有所不同，A16以及部分2nm改进版会采用超级电源轨（SPR）和背面供电网络（BSPDN），以解决功率密度问题。

A14则选择了不依赖BSPDN的架构，目标是一些不需要复杂供电网络、但又非常看重性能和功耗平衡的应用，比如客户端设备、边缘计算和部分专业领域。

这样做虽然增加了一定的成本，但能为这些应用提供最合适的解决方案。

不过，竞争对手同样在加速追赶。英特尔计划再购买两台ASML的高NA EUV光刻机，以推进即将推出的14A工艺。

英特尔已经在2024年5月下过一轮订单，这次追加采购后，几乎锁定了ASML今年所有的高NA EUV产能，每台设备成本高达3.7亿美元。

借助这些工具，英特尔希望在14A节点上扳回一城。如果能在2027年前后量产成功，英特尔将在与台积电和三星的高端工艺竞争中重新获得筹码。

台积电A14的提前突破，让它继续保持技术领先，而英特尔的14A则寄托着“生死一搏”的希望。等到2027-2028年，才是真正的高端工艺终极对决。