三星HBM4通过英伟达测试，月底预生产

据报道，三星电子上个月交付给人工智能?(AI)?半导体领域无可争议的领导者英伟达?(NVIDIA)?的第六代高带宽存储器?(HBM4)?已通过可靠性测试。如果最终测试进展顺利，HBM4?最早可能于年底开始量产。这要归功于三星电子董事长李在镕的积极宣传，据报道，他最近在一次海外出差期间会见了英伟达首席执行官黄仁勋。

据半导体行业消息人士8月20日透露，三星电子上个月交付给英伟达的?HBM4?样品已通过初始原型和质量测试，并将于本月底进入“预生产?(PP)”阶段。一位业内重要消息人士表示：“据我了解，它们在质量和良率方面获得了积极评价，并且已经进入了预生产阶段。如果通过预生产阶段，预计将于?11?月或?12?月开始量产。”

PP是半导体量产前进行的最终验证流程。三星电子上个月提供的?HBM4?原型只是一个“工程样品”，用于验证其运行情况。预生产阶段包括验证与客户图形处理器?(GPU)?的兼容性，并进行测试以确保其在特定温度条件下符合高质量标准。一旦完成此阶段，即可开始向量产过渡。

HBM4?用于?NVIDIA?的下一代?AI?加速器?Rubin。目前是?NVIDIA HBM?独家供应商的?SK?海力士已于?3?月交付?HBM4?样品，并于?6?月初实现批量生产。计划于?10?月实现量产。如果三星电子通过?PP?阶段，将于?11?月开始量产，从而迅速缩小与?SK?海力士的差距。

此外，还有猜测称，三星电子的?HBM3E 12?层产品将通过?NVIDIA?的质量测试，并于本月晚些时候开始交付。业内人士将?NVIDIA?和?SK?海力士之间近期?HBM?产量和价格谈判陷入僵局的原因归咎于三星电子即将交付。

近期，NVIDIA?获得了其专为中国开发的低规格?H20?的出口许可，条件是必须向美国政府缴纳?15%?的销售收入。据报道，三星电子提出的?NVIDIA H20?所用?HBM3E?的价格比?SK?海力士低?20%?至?30%。据悉，NVIDIA?坚持其立场，将先验证三星电子?HBM3E?和?HBM4?的质量，然后再与?SK?海力士就?HBM3E?的价格达成一致。一位业内人士分析称：“这是一个双赢的局面，NVIDIA?寻求加强其在?HBM?市场的定价权，而三星电子则寻求新的供应。”他们补充道：“李在镕会长和?CEO?黄仁勋在会谈中肯定就解决悬而未决的问题进行了大量的讨论。”

如果三星电子成功向?NVIDIA?供应?HBM3E?和?HBM4，预计明年?AI?内存市场将发生重大变革。今年上半年，三星电子在HBM市场的份额大幅下降至17%，而去年同期为41%。同期，SK海力士的市场份额从55%增至62%，而美光的市场份额则从4%增至21%。金融投资界预测，三星电子明年的HBM销售额增长率可能翻一番以上。

为了配合HBM销售额的扩张，三星电子可能还会在美国进行大规模追加投资。具体方案包括将平泽工厂的DRAM出口到美国，并在当地进行HBM封装，以规避美国关税。因此，有猜测称，三星电子可能会宣布，从8月25日的韩美峰会开始，对其位于美国德克萨斯州泰勒市的半导体工厂进行大规模追加投资。

与此同时，关于HBM4的供应，三星电子表示：“我们无法确认任何与客户相关的信息。”