三星1c DRAM大扩产，加速HBM4量产

据悉，三星电子继平泽工厂之后，已制定计划在华城工厂建设1c DRAM（第6代10nm级DRAM）量产线。预计该项投资最早将于今年年底完成，此举被解读为反映了公司内部对提高收益率的信心。

1c DRAM也是将应用于三星电子“HBM4（第六代高带宽存储器）”的关键产品。有分析认为，三星电子在最新HBM的商业化上遇到困难，目前正表现出积极的量产意愿。

据业内人士5月22日透露，三星电子计划今年下半年在华城市和平泽地区投资增加1c DRAM产能。

今年早些时候，三星电子开始在其平泽第四园区（P4）建设第一条1c DRAM量产线。当时投资规模较小，为每月3万张。三星电子一直奉行先做好1c DRAM初期量产的准备，以后再根据产品开发进度扩大投资的战略。

目前三星电子正在商谈追加投资，扩大今年下半年P4工厂的1c DRAM产能，预计规模至少达到每月4万张。

此外，预计最早将于今年年底在Mars 17号线进行1c DRAM的转换投资。据了解，该公司目前正在制定内部计划，并与合作伙伴进行详细讨论。

三星电子华城17号线是一条主要生产1z（10纳米级第三代）DRAM的生产线。?DRAM属于传统工艺，产量正在快速减少。三星电子已投资将1b DRAM转换为位于附近华城市的15号和16号生产线。

三星电子决定在其华城和平泽工厂具体化1c DRAM投资计划，这反映出其对提高产量的信心。

一位半导体业内人士表示：“三星电子内部对1c DRAM良率的提升给予了积极的评价。目标是在第三季度获得重新设计产品的内部量产批准（PRA）”。他补充道，“即使在PRA之后，实际量产仍有许多问题需要解决，但设施投资计划正在稳步推进。”

1c DRAM是三星电子计划最早在今年年底量产的最新一代DRAM。这种?DRAM?对三星电子如此重要的原因在于其在?HBM?领域的领导地位。与?SK?海力士和美光等主要竞争对手为?HBM4?采用?1b DRAM?不同，三星电子决定为?HBM4?应用?1c DRAM。

通过这种方式，三星电子可能会显著提高核心芯片的性能，这是HBM?性能的关键要素。另一方面，由于技术难度较高，也存在降低产品良率的局限性。由于这是可以改变现状的大胆挑战，因此三星电子正在通过比草案增加1c DRAM的芯片尺寸来补充稳定性。