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话题活动:发表GaN想法和感受,即可获得大奖(绝壁公正)

 

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301#

RM爱好者

发表于 2016-7-22 19:41:31 | 只看该作者

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针对VHF到S波段频率,ADI公司开发了一款尺寸非常小、功能丰富、多倍频程的放大器,其在115 MHz到2000 MHz范围内可提供50 W输出功率。 在全频率范围内,当馈入0 dBm的标称输入信号时,该放大器可实现46 dBm(典型值40 W)的输出功率水平。
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302#

烙馍菜盒

发表于 2016-7-22 19:41:41 | 只看该作者

设计非对称型Doherty功率放大器时必须格外谨慎,要确保Doherty功率放大器的AM-AM和AM-PM响应平滑且单调,这是配合DPD使用时的必要条件。
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303#

fightingboon

发表于 2016-7-22 19:41:55 | 只看该作者

对称型Doherty功率放大器的增益和效率(为输出功率的函数),采用单载波、64 DPCH、10 dB PAR WCDMA测试信号,频率为3.5 GHz。
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304#

熊孩子a

发表于 2016-7-22 19:42:07 | 只看该作者

更有效的替代解决方案是以更高的功率水平连续覆盖宽频率范围,这已经通过两个不同的GaN放大器得到实现,一个放大器覆盖VHF至L波段频率,另一个覆盖2 GHz至18 GHz。
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305#

熊孩子a

发表于 2016-7-22 19:42:16 | 只看该作者

氮化镓半导体,让我们的生活提高了不止一个档次,它间接的推动了我们的智能生活,让我们在互通互联世界,就算远离他乡,也不能阻挡我们之间的联系。
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306#

lukaisi

发表于 2016-7-22 19:42:27 | 只看该作者

通过降低器件的寄生参数,以及采用更短的栅极长度和更高的工作电压,GaN晶体管已实现更高的输出功率密度、更宽的带宽和更好的DC转RF效率。
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307#

Lumhao

发表于 2016-7-22 19:42:55 | 只看该作者

此类器件有多家晶圆厂和器件制造商可以提供,通常采用100 mm碳化硅(SiC)晶圆制造。 硅上氮化镓工艺也在考虑当中,但硅的热导率和电导率相对较差,抵消了其在高性能、高可靠性应用中的成本优势。
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308#

eefishing

发表于 2016-7-22 19:43:11 | 只看该作者

GaN技术可以在安全的频率上实现高效的电力传输,这对硅晶体管而言,是一件艰难的工作。将GaN技术带到更高的电压和更高的频率,可以扩展无线电力传输的距离。
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309#

Drony

发表于 2016-7-22 19:43:29 | 只看该作者

恒值线在20 W平均功率(天线端)参考设计中同样采用了非对称型Doherty架构。
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310#

熊孩子a

发表于 2016-7-22 19:43:41 | 只看该作者

为了使功率放大器产品(包括驱动器和前置驱动器级)维持高效率,最终Doherty放大器(3.5 GHz频段的绝佳选择)的增益需要尽量高。
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