话题活动：发表GaN想法和感受，即可获得大奖(绝壁公正）

苏城123

GaN，即氮化镓，属六角纤锌矿结构。在T=300K时为，是半导体照明中发光二极管的核心组成部份。通常工业上采用MOCVD设备来生长。

苏城123

在不久的将来，随着GaN器件制造转向更大尺寸的晶圆（直径150 mm及更大，目前有多家领先的GaN器件代工厂正在开发），成本有望降低50%左右。

熊孩子a

在不久的将来，随着GaN器件制造转向更大尺寸的晶圆（直径150 mm及更大，目前有多家领先的GaN器件代工厂正在开发），成本有望降低50%左右。

飞行的UPS

GHz以上的宽带应用，ADI公司也开发了一款GaN放大器，其可在2 GHz到18 GHz频段产生50 W连续波(CW)输出功率。 这款放大器采用商用10 W GaN MMIC，其输出功率贡献通过宽带低损耗功率合成器加以合并。

飞行的UPS

针对VHF到S波段频率，ADI公司开发了一款尺寸非常小、功能丰富、多倍频程的放大器，其在115 MHz到2000 MHz范围内可提供50 W输出功率。 在全频率范围内，当馈入0 dBm的标称输入信号时，该放大器可实现46 dBm（典型值40 W）的输出功率水平。

植物大战奥特曼

QRVO）日前宣布推出三款采用低成本塑料封装的 GaN RF 晶体管，这些晶体管可实现更小的尺寸并具备更高的可靠性，可用于民用船舶、航空和基础设施雷达系统中。

植物大战奥特曼

QRVO）日前宣布推出三款采用低成本塑料封装的 GaN RF 晶体管，这些晶体管可实现更小的尺寸并具备更高的可靠性，可用于民用船舶、航空和基础设施雷达系统中。

植物大战奥特曼

氮化镓(GaN)功率半导体技术为提高RF/微波功率放大的性能水平作出了巨大贡献。 通过降低器件的寄生参数，以及采用更短的栅极长度和更高的工作电压，GaN晶体管已实现更高的输出功率密度、更宽的带宽和更好的DC转RF效率

sayuenala

在许多高频应用以及所有低频应用（除对成本最为敏感的应用之外）中，基于GaN的器件已经在很大程度上取代了砷化镓(GaAs)和硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。

zhaoxianden

在许多高频应用以及所有低频应用（除对成本最为敏感的应用之外）中，基于GaN的器件已经在很大程度上取代了砷化镓(GaAs)和硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。