话题活动：发表GaN想法和感受，即可获得大奖(绝壁公正）

lastimy · 发表于 2016-7-22 19:45:33

TGF2977-SM、TGF2978-SM 和 TGF2979-SM 是设计在 8-12GHz 频率波段中工作的优质 GaN 晶体管。Qorvo 业界领先的 GaN 技术与小型封装共同保证了高线性增益和功率效率。

lastimy · 发表于 2016-7-22 19:45:41

RFMD与TriQuint合并组建而成，Qorvo在全球拥有6000多名员工，致力于为实现全球互联的各种应用提供解决方案

熊孩子a · 发表于 2016-7-22 19:46:07

随着栅极长度的缩短，基于GaN的SSPA将能支持更高的工作频率，因此会有越来越多的GaN器件用于工作在毫米波频率的系统。显而易见，当前GaN改善性能并降低成本的趋势应当会持续一段时间。

熊孩子a · 发表于 2016-7-22 19:46:22

GaN拥有小体积、大功率的特性，通常应用在雷达上面，未来将有可能应用在PA芯片，所以说5G时代没准就是GaN大显身手的时代！

熊孩子a · 发表于 2016-7-22 19:46:34

通过降低器件的寄生参数，以及采用更短的栅极长度和更高的工作电压，GaN晶体管已实现更高的输出功率密度、更宽的带宽和更好的DC转RF效率。

小蜜蜂ww · 发表于 2016-7-22 19:46:41

了使功率放大器产品（包括驱动器和前置驱动器级）维持高效率，最终Doherty放大器（3.5 GHz频段的绝佳选择）的增益需要尽量高。

小蜜蜂ww · 发表于 2016-7-22 19:46:48

RF功率放大器设计人员关注GaN器件，因为它们支持非常高的工作电压（比GaAs高三到五倍），并且每单位FET栅极宽度容许的电流大致是GaAs器件的两倍。

小蜜蜂ww · 发表于 2016-7-22 19:46:56

设计非对称型Doherty功率放大器时必须格外谨慎，要确保Doherty功率放大器的AM-AM和AM-PM响应平滑且单调，这是配合DPD使用时的必要条件。

小蜜蜂ww · 发表于 2016-7-22 19:47:02

现在有了硅上氮化镓工艺，虽然存在上面提到的性能问题，但这种工艺生产的器件可能最适合成本敏感型应用。

nextapril · 发表于 2016-7-22 19:47:13

在不久的将来，随着GaN器件制造转向更大尺寸的晶圆（直径150 mm及更大，目前有多家领先的GaN器件代工厂正在开发），成本有望降低50%左右。

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