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话题活动:发表GaN想法和感受,即可获得大奖(绝壁公正)

 

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271#

JonhLee

发表于 2016-7-22 13:04:25 | 只看该作者

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通过降低器件的寄生参数,以及采用更短的栅极长度和更高的工作电压,GaN晶体管已实现更高的输出功率密度、更宽的带宽和更好的DC转RF效率。
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272#

熊孩子a

发表于 2016-7-22 13:04:42 | 只看该作者

当前GaN改善性能并降低成本的趋势应当会持续一段时间。
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273#

kaierwen

发表于 2016-7-22 13:05:07 | 只看该作者

通过降低器件的寄生参数,以及采用更短的栅极长度和更高的工作电压,GaN晶体管已实现更高的输出功率密度、更宽的带宽和更好的DC转RF效率。
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274#

kaierwen

发表于 2016-7-22 13:05:18 | 只看该作者

GHz以上的宽带应用,ADI公司也开发了一款GaN放大器,其可在2 GHz到18 GHz频段产生50 W连续波(CW)输出功率。
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275#

kaierwen

发表于 2016-7-22 13:05:27 | 只看该作者

对称型Doherty功率放大器的增益和效率(为输出功率的函数),采用单载波、64 DPCH、10 dB PAR WCDMA测试信号,频率为3.5 GHz。
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276#

☆泷瀛潇湘☆

发表于 2016-7-22 16:16:23 | 只看该作者


0.15、0.25 和 0.5 微米的碳化硅基氮化镓的晶圆代工流程, 工作频率覆盖至 DC-40GHz,这么高的工作频率都是GaN的功劳啊
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277#

dateup

发表于 2016-7-22 16:41:11 | 只看该作者

以前基于GaAs或LDMOS的设计的输出阻抗常常极其低,现在确实不同了,意味着在给定输出功率水平可以支持更高的负载阻抗。
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278#

dateup

发表于 2016-7-22 16:41:44 | 只看该作者

支持非常高的工作电压(比GaAs高三到五倍),设计人员方便了好多
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279#

dateup

发表于 2016-7-22 16:42:58 | 只看该作者

家器件供应商在225°C或更高的结温下进行了寿命测试,结果表明单个器件的平均失效前时间(MTTF)超过一百万小时,这使得它特别适合高可靠性应用。
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280#

dateup

发表于 2016-7-22 16:47:04 | 只看该作者

用于天气预报和目标捕获/识别的雷达系统,依赖于工作在C波段和X波段频率的TWT功率放大器,但如果换上GaN成本会大大的缩小。
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