话题活动：发表GaN想法和感受，即可获得大奖(绝壁公正）

Tom Chen

2014年，能支持8kW脉冲输出功率的GaN工艺的X波段放大器已被验证能在雷达系统应用中替代行波管(TWT)和TWT放大器。到2016年，预计会有很多这种支持32kW的固态GaN工艺的共V领放大器出现。在期待这些放大器的同时，我们将考察高功率GaN放大器的一些主要特征和特性。

熊孩子a

氮化镓(GaN)功率半导体技术为提高RF/微波功率放大的性能水平作出了巨大贡献。 通过降低器件的寄生参数，以及采用更短的栅极长度和更高的工作电压

熊孩子a

氮化钾～现在除了做功率半导体PA之外.也可以做低噪放了～

JonhLee

硅基氮化钾是趋势～成本会降低很多。MA_COM主打硅基。

JonhLee

GaN，即氮化镓，属六角纤锌矿结构。在T=300K时为，是半导体照明中发光二极管的核心组成部份。通常工业上采用MOCVD设备来生长。

JonhLee

为了使功率放大器产品（包括驱动器和前置驱动器级）维持高效率，最终Doherty放大器（3.5 GHz频段的绝佳选择）的增益需要尽量高。

JonhLee

GHz以上的宽带应用，ADI公司也开发了一款GaN放大器，其可在2 GHz到18 GHz频段产生50 W连续波(CW)输出功率。 这款放大器采用商用10 W GaN MMIC，其输出功率贡献通过宽带低损耗功率合成器加以合并。

JonhLee

在2014年，能支持8kW脉冲输出功率的GaN工艺的X波段放大器已被验证能在雷达系统应用中替代行波管(TWT)和TWT放大器。到2016年，预计会有很多这种支持32kW的固态GaN工艺的共V领放大器出现。在期待这些放大器的同时，我们将考察高功率GaN放大器的一些主要特征和特性。

JonhLee

当个别MMIC发生故障时，这种合并方法保证输出性能不会急剧降低。 TWT放大器则不是如此，由于其冗余性较低，单一故障往往会导致器件发生灾难性故障。 对于这种固态GaN功率放大器，RF/微波合并架构必须在MMIC间所需的隔离与整个网络的RF/微波插入损耗之间取得合理的平衡。

JonhLee

8 kW SSPA支持将多个模块式SSPA合并以产生更高的功率水平