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话题活动:发表GaN想法和感受,即可获得大奖(绝壁公正)

 

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251#

熊孩子a

发表于 2016-7-22 13:00:05 | 只看该作者

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在不久的将来,随着GaN器件制造转向更大尺寸的晶圆(直径150 mm及更大,目前有多家领先的GaN器件代工厂正在开发),成本有望降低50%左右。
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252#

飞行的UPS

发表于 2016-7-22 13:00:43 | 只看该作者

现在有了硅上氮化镓工艺,虽然存在上面提到的性能问题,但这种工艺生产的器件可能最适合成本敏感型应用。
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253#

飞行的UPS

发表于 2016-7-22 13:00:51 | 只看该作者

在不久的将来,随着GaN器件制造转向更大尺寸的晶圆(直径150 mm及更大,目前有多家领先的GaN器件代工厂正在开发),成本有望降低50%左右。
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254#

熊孩子a

发表于 2016-7-22 13:01:08 | 只看该作者

作为高功率TWT放大器的替代产品,ADI公司基于GaN技术开发了一款8 kW固态X波段功率放大器。 该设计采用创新的分层合并方法,将256个MMIC的RF/微波输出功率加总,各MMIC产生大约35 W的输出功率。
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255#

zhaoxianden

发表于 2016-7-22 13:01:20 | 只看该作者

该放大器可以安装在标准19英寸机壳中。 该放大器的当前设计(图2)采用水冷,其他采用空冷的版本正在开发当中。 表1给出了水冷8 kW GaN PA的性能摘要。
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256#

zhaoxianden

发表于 2016-7-22 13:01:30 | 只看该作者

目前正在开发含有三个这样的8 kW SSPA模块的放大器,其在相同频率范围上可实现24 kW的峰值输出功率水平。 其他实现32 kW功率水平的配置也是可行的,目前正在考虑以供进一步评估。
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257#

zhaoxianden

发表于 2016-7-22 13:01:37 | 只看该作者

针对VHF到S波段频率,ADI公司开发了一款尺寸非常小、功能丰富、多倍频程的放大器,其在115 MHz到2000 MHz范围内可提供50 W输出功率。 在全频率范围内,当馈入0 dBm的标称输入信号时,该放大器可实现46 dBm(典型值40 W)的输出功率水平。
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258#

zhaoxianden

发表于 2016-7-22 13:01:52 | 只看该作者

氮化镓(GaN)功率半导体技术为提高RF/微波功率放大的性能水平作出了巨大贡献。 通过降低器件的寄生参数,以及采用更短的栅极长度和更高的工作电压
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259#

Tom Chen

发表于 2016-7-22 13:02:03 | 只看该作者

硅基氮化钾是趋势~成本会降低很多。MA_COM主打硅基。
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260#

Tom Chen

发表于 2016-7-22 13:02:12 | 只看该作者

GaN,即氮化镓,属六角纤锌矿结构。在T=300K时为,是半导体照明中发光二极管的核心组成部份。通常工业上采用MOCVD设备来生长。
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