按存储数据的特性（断电后数据是否保留）分类存储器

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本篇主要是按存储数据的特性（断电后数据是否保留）分类存储器

易失性存储器

断电后，存储的数据会立即丢失。

主要类型：

DRAM：动态随机存取存储器。需要定时“刷新”以保持数据，主要用于主内存。
SRAM：静态随机存取存储器。不需要刷新，速度比DRAM快，但集成度低、成本高，主要用于CPU高速缓存。

非易失性存储器

断电后，存储的数据能够长期保存。

主要类型：

ROM：只读存储器。数据一旦写入就不能或很难修改。

---Mask ROM：掩膜ROM，出厂时数据固化，不可更改。
---PROM：可编程ROM，允许用户写入一次。
---EPROM：可擦除可编程ROM，用紫外线擦除。
---EEPROM：电可擦除可编程ROM，可以按字节擦写。

Flash Memory：闪存，是EEPROM的一种，可以按块（Block）进行擦写。

---NAND Flash：主要用于大容量存储，如SSD、U盘、手机存储。?---NOR Flash：主要用于存储程序代码，如BIOS。

磁/光介质：如HDD、光盘等。

为了更清晰地理解，下表总结了关键存储器的特性：

现代计算机中的存储层次结构

现代计算机采用了一种金字塔形的存储层次结构，从上到下，速度越来越慢，容量越来越大，成本越来越低。这种结构有效地平衡了速度、容量和成本。

寄存器 (最快，最小，最贵)

高速缓存 (SRAM)

主内存 (DRAM)

外部存储器 (SSD/HDD) (最慢，最大，最便宜)

这种结构确保了CPU大部分时间都在与高速的缓存和内存交互，而海量的、不常用的数据则存放在廉价的外存中，从而实现了整体性能的最优。

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