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随着GaN功率器件的可靠性提升及成本逐渐接近常规MOS,相关中大功率快充方案备受市场青睐。为了满足市场新需求,晶丰明源通过不断创新,推出了集成GaN磁耦通讯快充BP87618+BP818+BP62610组合方案。
其中,BP87618采用了晶丰成熟的磁耦通讯技术,待机功耗极低,动态反应快。BP62610内置多组ADC和寄存器,通过I?C接口,手机可随时读取寄存器内部信息,获取充电设备的工作状态;同时也可对输出电压和电流进行高精度调节,实现精准的恒压、恒流和恒功率控制,非常适合高端PD/PPS应用。
-BP87618-
集成GaN高频QR磁耦通讯反激驱动器
01?目标应用
02?性能特点
- 内置650V GaN
- 集成高压启动
- 集成X电容放电,节省放电电阻
- 150V辅助供电耐压,适合宽输出电压应用
- ACOT控制,快速的动态响应
- 磁耦通讯实现超低待机功耗<30mW
- ESOP-10封装,散热能力强,更易操作
03?封装形式
04?应用结构
-BP62610-
集成SR、副边控制芯片
01?性能特点
02?可编程控制
- 通过I?C接口可实现输出参数精细控制
电压:10 mV / Step
电流:12.5 mA / Step
恒功率:240mW / Step
线压降补偿:40 mV / Step
输出过/欠压保护:80 mV / Step
03?应用结构
04?高精度的电压电流调节
高精度输出电压调整步进
10mV/Step
高精度输出恒流控制调整步进
12.5 mA?/ Step
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