《元器件动态周报》——DDR4价格失控加速DDR5市场渗透

核心观点

DDR4价格失控与供应缺口推动DDR5/LPDDR5X渗透率跃升，AI终端升级持续拉动高性能存储需求。

封装资源短缺+产能转向高端产品，低容量芯片（LPDDR4X、小容量NAND）紧缺或持续至2026年。

DDR4泡沫将破，LPDDR4X因刚性需求维持涨势，三季度原厂全面提价策略明确。

三大维度解读存储器件最新供需动态

市场需求分析

7月，四方维商品动态商情存储需求指数环比下降11.68%，同比下降-21.69%。

同容量DDR4/DDR5价差持续收窄，若DDR4价格突破合理区间，渠道需求将加速向DDR5迁移。

三星1c DRAM确认搭载于HBM4，已向AMD供应12层HBM3E并测试供应英伟达。

AI手机普及推动存储升级，2025年手机NAND平均容量达224GB，DRAM超8GB。

中低端机型仍以128GB以下eMMC/UFS2.2为主，高端机型转向三星/SK海力士UFS4.0/4.1。

LPDDR4X面临15-20%供应缺口，6GB以下低容量型号极度紧缺。

三星286层V9 NAND已量产，430层V10存储密度提升56%，接口速度达5.6GT/s。

国产手机分离式存储方案占比将突破82%，转换进程持续加速。

三星-博通12层HBM3E合作量达10亿Gb，渠道DDR5渗透率快速提升。

32GB eMMC产品因价格竞争力不足，市场影响有限。

群联电子PCIe SSD出货创新高，存储市场向高速SSD转型。

LPDDR6标准公布，带宽14.4Gbps实现1.5倍性能跃升。

交货周期分析

封装基板缺货加剧，交付周期延至3-5个月。

三星D1c DRAM完成量产审批，即将投入生产。

制程升级导致低容NAND减产，1Tb Wafer供应增加。

嵌入式NAND呈现结构性短缺：低容紧平衡，256GB+ UFS4.0供应充足。

12GB LPDDR5X供应瓶颈已缓解。

价格波动分析

封装资源短缺推高LPDDR4X价格，8/16Gb低容型号涨幅显著。

eMCP/uMCP产品跟随LPDDR4X调涨报价。

Flash Wafer持稳，DDR5颗粒微涨，DDR4颗粒持平。

渠道DDR4内存条三个月暴涨50%，8GB型号涨幅超80%。

预计DDR4价格将理性回调，DDR5小幅上涨，SSD价格稳定。

Q3预测：Mobile NAND持平/微涨，LPDDR4X大涨20%+，LPDDR5X小涨。

原厂拟提高LPDDR5X定价，旺季备货或推动中低个位数涨幅。

南亚科技受益DDR4涨势，营收创35个月新高。

DDR4/DDDR5价格倒挂加速客户向DDR5升级。

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