《元器件动态周报》——存储新周期引爆，供需逆转推动价格全面上涨

核心观点

需求端：?? AI驱动的高性能存储需求爆发，市场前景广阔，引发巨额产业链投资。

供应与交期：?? 存储市场整体供应趋紧，HBM格局生变，厂商库存改善凸显供需关系转向紧张。

价格动态：?? 由上游原厂推动的全面涨价趋势已经确立，并将在强劲需求预期下持续。

三大维度解读存储器件最新供需动态

市场需求分析

9月，四方维商品动态商情存储需求指数环比上升1.68%，同比下降-14.6%。

华为正式发布自主研制的HBM内存产品，包括HiBL 1.0与HiZQ 2.0两个版本。规格方面，HiBL 1.0提供128GB容量及1.6TB/s带宽；HiZQ 2.0则具备144GB容量与4TB/s带宽。

目前，SK海力士承担了英伟达HBM3E产品约75%的供应量。

三星电子指出，第二季度其HBM3E在HBM总销售中的占比已提升至80%以上，目前正持续推进各客户端的量产认证工作以保障需求满足，预计下半年HBM3E销售占比将进一步提升至90%以上。

美光最新财报披露，其HBM、高容量DIMM内存及低功耗服务器DRAM业务合计收入达100亿美元，较上一财年增长逾五倍。

三星与SK海力士为OpenAI的人工智能加速器供应主要HBM产品，其月需求规模约相当于90万片晶圆。

根据SEMI最新报告预测，2026至2028年间，DRAM相关设备投资总额将突破790亿美元，3D NAND投资规模预计为560亿美元。

交货周期分析

三星电子近期已通过英伟达对其12层HBM3E产品的质量认证，即将启动正式出货。由此，三星将成为第三家向英伟达供应HBM3E的厂商。

渠道上游NAND资源供应呈现紧张态势，因渠道厂商在过去一个月内加速现货消耗以促进资金回流，导致SSD成品出现供应短缺。

自9月以来，渠道厂商为缓解业绩压力推动SSD快速出货，致使现货成品被迅速消化，加之部分NAND资源到货不足且成品生产需一定周期，短期内SSD供应仍将保持偏紧状态。

DDR4资源流通受限、价格持续攀升，同时DDR5晶圆供应也较为紧张，造成渠道市场DDR4与DDR5内存条整体供应趋紧。

截至最新财季结束，美光库存总额为84亿美元，环比减少3.72亿美元；库存周转天数为124天，环比下降15天，主要受益于DRAM比特出货量的强劲环比增长。当前DRAM库存天数已低于目标水平，NAND库存天数亦实现环比改善。

SK海力士正加速将1c工艺导入LPDDR5X产品，预计明年上半年可实现大规模出货。

价格波动分析

自9月起，继闪迪公开宣布调价后，美光、三星等存储原厂亦传出涨价消息，带动现货市场NAND资源价格全面上扬。

受上游供应端涨价影响，近期存储现货市场询单活跃，资源价格上涨已逐步传导至嵌入式成品领域，eMMC与UFS产品价格近期出现普遍较大幅度上调。

LPDDR4X因部分原厂暂停报价并传出大幅调涨计划，市场看涨情绪迅速升温，在涨价预期推动下，已高位横盘一月有余的LPDDR4X价格再次出现上涨。

行业市场价格上涨效应持续扩散，加之PC客户备货意愿增强，多数存储厂商采取控货惜售策略，部分厂商甚至暂停报价、控制接单节奏。

临近三季度末，存储厂商多进行内部核算与复盘，部分渠道厂商暂停报价与接单，因此渠道SSD及内存条价格短期内保持稳定。

继渠道与行业SSD率先涨价后，近期受NAND资源成本上升影响，嵌入式eMMC、UFS产品因成本压力加剧也出现明显价格上调。

现货Flash Wafer资源价格普遍上涨，市场整体涨价氛围浓厚。

预计第四季度，服务器eSSD价格涨幅将超10%，DDR5 RDIMM涨幅约10%–15%；移动端嵌入式NAND价格涨幅约5%–10%，LPDDR4X/5X涨幅约10%–15%；PC端LPDDR5X/D5价格预计上涨10%–15%，客户端SSD价格涨幅约5%–10%。

威刚科技9月营收创近19年单月新高，公司预期明年供应将持续紧张，价格保持上升趋势。

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