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TFF11xxxHN评估板用户手册

2023/04/25
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TFF11xxxHN评估板用户手册

概述

TFF11XXXHN是一种低相位噪声、高频率精度的微波(Ku波段)在硅锗高Ft工艺中实现的本地振荡器发生器。此设备可用于许多应用,如电信设备、室外机用于卫星(VSAT)和其他应用。当应用倍频器或次谐波混频器时,频率范围可以是扩展到工作频率高达30Ghz的应用程序

TFF11XXXHN评估委员会(EVB)旨在评估所述装置用于固定除法器比率;但是这个比率可以通过跳线设置来改变。

因此,可能需要相应地重新优化PLL环路滤波器。图画给出了电路板布局、材料清单和一些典型结果。

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器件型号 数量 器件厂商 器件描述 数据手册 ECAD模型 风险等级 参考价格 更多信息
C2012X7R1E475K125AB 1 TDK Corporation Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 25V, 10% +Tol, 10% -Tol, X7R, 15% TC, 4.7uF, Surface Mount, 0805, CHIP, ROHS COMPLIANT

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C106DG 1 onsemi Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifier - SCR 400 V, TO-225, 500-BLKBX

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MCR310-10G 1 Littelfuse Inc Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-220AB, LEAD FREE, CASE 221A-07, 3 PIN
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恩智浦

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恩智浦半导体创立于2006年,其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部,总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案,实现智慧生活,安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年,其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部,总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案,实现智慧生活,安全连结。收起

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