概述
TFF11XXXHN是一种低相位噪声、高频率精度的微波(Ku波段)在硅锗高Ft工艺中实现的本地振荡器发生器。此设备可用于许多应用,如电信设备、室外机用于卫星(VSAT)和其他应用。当应用倍频器或次谐波混频器时,频率范围可以是扩展到工作频率高达30Ghz的应用程序。
TFF11XXXHN评估委员会(EVB)旨在评估所述装置用于固定除法器比率;但是这个比率可以通过跳线设置来改变。
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概述
TFF11XXXHN是一种低相位噪声、高频率精度的微波(Ku波段)在硅锗高Ft工艺中实现的本地振荡器发生器。此设备可用于许多应用,如电信设备、室外机用于卫星(VSAT)和其他应用。当应用倍频器或次谐波混频器时,频率范围可以是扩展到工作频率高达30Ghz的应用程序。
TFF11XXXHN评估委员会(EVB)旨在评估所述装置用于固定除法器比率;但是这个比率可以通过跳线设置来改变。
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C2012X7R1E475K125AB | 1 | TDK Corporation | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 25V, 10% +Tol, 10% -Tol, X7R, 15% TC, 4.7uF, Surface Mount, 0805, CHIP, ROHS COMPLIANT |
|
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$0.33 | 查看 | |
| C106DG | 1 | onsemi | Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifier - SCR 400 V, TO-225, 500-BLKBX |
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$0.9 | 查看 | |
| MCR310-10G | 1 | Littelfuse Inc | Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-220AB, LEAD FREE, CASE 221A-07, 3 PIN |
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|
$0.84 | 查看 |
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