AFT05MP075NR1，AFT05MP075GNR1 宽带RF功率LDMOS晶体管 - 数据表

2023/04/25 作者：恩智浦

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AFT05MP075NR1，AFT05MP075GNR1 宽带RF功率LDMOS晶体管 - 数据表

RF功率LDMOS 晶体管、高耐用性N型增强模式侧向MOSFET，设计用于频率在136至520 MHz之间的移动对讲无线电应用。这些器件具有高增益、耐用性和宽带性能，使其成为移动无线电设备中大信号共源放大器应用的理想选择。

特点

适用于136至520 MHz操作
无与伦比的输入和输出，可实现广泛的频率范围利用
集成ESD保护 · 集成稳定性增强功能
宽带——全频段满功率输出
异常的热性能
极高的耐用性
高线性性能：TETRA，SSB，LTE
在胶带和卷盘上提供。 R1后缀= 500个单元，44毫米胶带宽度，13英寸卷盘

推荐器件

更多器件

器件型号	数量	器件厂商	器件描述	数据手册	ECAD模型	风险等级	参考价格	更多信息
BTA316Y-800CTQ	1	WeEn Semiconductor Co Ltd	Snubberless TRIAC,				$0.73	查看
43640-0201	1	Molex	Rectangular Power Connector, 2 Contact(s), Male, Plug,		ECAD模型下载ECAD模型		$0.25	查看
RE1201	1	Okaya Electric America Inc	RC Network,				$1.32	查看

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恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

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