光刻胶相关常见术语

一、光刻胶基础属性术语

PR (Photoresist)：光刻胶的简称，分为正胶 (Positive PR) 和负胶 (Negative PR)。正胶曝光区溶解，负胶曝光区固化。

Sensitivity (灵敏度)：光刻胶对光能量的响应度，通常以 mJ/cm? 表示。灵敏度越高，所需曝光剂量越低。

Contrast (对比度)：光刻胶在曝光与未曝光区域溶解速率的比值，决定图形边界的陡峭程度。高对比度有利于获得清晰的CD（临界尺寸）。

Resolution (分辨率)：光刻胶能分辨的最小线宽或空间特征。

Soft Bake (前烘，SB)：旋涂后低温烘烤，去除溶剂，改善膜层均匀性。

PEB (Post Exposure Bake，后烘)：曝光后热处理，促进化学反应（尤其是化学放大胶 Chemically Amplified Resist）。对CD和Line Edge Roughness (LER) 有重要影响。

Developer (显影液)：常用 TMAH (四甲基氢氧化铵) 水溶液，用于选择性溶解曝光/未曝光区域。

Dissolution Rate (溶解速率)：光刻胶在显影液中的去除速率，影响显影窗口。

Film Thickness (膜厚)：旋涂后的光刻胶厚度，一般 100nm~1?m。厚度会影响抗刻蚀能力与分辨率。

DOF (Depth of Focus，景深)：曝光时焦距允许的变化范围。光刻胶厚度与景深匹配是工艺窗口设计的关键。

Etch Resistance (抗刻蚀性)：光刻胶在刻蚀（如氧等离子体、氟基气体）中保持图形的能力。

Footing / T-Topping：光刻胶剖面异常形貌，底部或顶部过宽，通常由工艺不匹配引起。

Scumming (残胶)：显影后在沟槽中残留薄膜，影响刻蚀均匀性。

Standing Wave Effect (驻波效应)：曝光光在光刻胶中形成干涉条纹，导致CD摆动。常用 BARC (底部抗反射涂层) 缓解。

LER (Line Edge Roughness，线边粗糙度)：光刻图形边界的抖动幅度，影响器件性能。

CAR (Chemically Amplified Resist，化学放大光刻胶)：EUV/DUV光刻常用材料，依赖酸催化反应，灵敏度高，但对PEB敏感。

EUV Resist (EUV光刻胶)：针对13.5 nm波长开发的光刻胶，面临低吸收率与随机噪声挑战。

Outgassing (析气)：光刻胶在EUV曝光时释放小分子气体，可能污染镜头。

Stochastic Effect (随机效应)：EUV光刻中，由于光子数有限而导致的随机CD偏差与缺陷。

??总结建议：

对于工作3年的工程师，应重点掌握光刻胶基础属性、工艺步骤相关术语和常见缺陷，并逐步熟悉先进节点特有的?EUV光刻胶术语。这些术语不仅要理解定义，更要能联系到日常的工艺问题，例如?CD偏移、显影窗口收窄、残胶问题、抗刻蚀不足?等。