芯耀
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8月11日，美国存储芯片巨头美光科技（Micron Technology）在中国区启动业务调整，涉及嵌入式研发、测试及FAE/AE等支持部门，上海、深圳等多地员工受到影响。针对此次调整，美光官方回应称，由于移动NAND产品市场持续疲软，公司决定在全球范围内停止未来移动NAND产品的开发，包括终止UFS5（第五代通用闪存存储）的开发计划。
美光在声明中强调，此次决策仅影响移动NAND产品线的开发工作，公司将继续支持其他NAND解决方案，包括SSD以及面向汽车、工业等终端市场的存储产品。同时，美光表示不会退出移动DRAM市场，并将继续提供相关产品组合。
移动NAND长期是智能手机的核心存储芯片，但随着全球智能手机市场趋于饱和，这一赛道的利润空间被严重压缩。相比之下，数据中心与AI基础设施带来的高带宽内存（HBM）、企业级SSD市场正在高速增长，毛利率显著高于移动存储。美光2025财年第三季度财报显示，公司营收达93亿美元，其中DRAM业务占总收入的76%，HBM业务环比增长近50%，而NAND业务营收为21.55亿美元，占比相对较小。
美光科技成立于1978年10月5日，总部位于美国爱达荷州博伊西市，是全球领先的半导体存储解决方案供应商。公司主要产品包括DRAM、NAND闪存和NOR闪存，广泛应用于移动设备、计算机、汽车电子等领域。
美光的发展历程充满并购与技术创新。2012年，公司以25亿美元收购日本芯片制造商尔必达，成为全球第二大DRAM厂商。2015年，美光推出革命性的3D XPoint技术，2020年又率先量产176层NAND闪存。在中国市场，美光于2007年在西安建立首家工厂，随后在上海设立设计中心，专注于SSD和移动NAND产品开发。
此次中国区业务调整被视为美光应对市场变化的战略举措。自2023年中国对美光产品实施网络安全审查以来，该公司在华业务面临挑战。数据显示，美光在中国大陆的收入占比已从2023年的14%降至2024年的12.1%，远低于美国（52.4%）和中国台湾地区（18.7%）。
尽管收缩移动NAND业务，美光仍在中国保持其他领域的投资。2024年，公司在西安投资43亿元人民币扩建封测工厂，并计划在2025年下半年投产新的封装测试设施。美光CEO桑杰·梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra）曾表示，中国仍是美光全球业务的重要部分。
存储芯片行业正经历结构性变革。一方面，AI与高性能计算推动HBM、大容量SSD需求激增；另一方面，消费电子市场增长乏力制约传统存储产品发展。美光此次调整反映了行业资源向高附加值领域集中的趋势。
分析师指出，美光终止UFS5开发是顺应市场变化的被动选择，也是主动转型的一部分。随着公司资源向DRAM尤其是HBM业务倾斜，其全球业绩已显现增长态势。2025年8月11日，美光上调第四财季业绩预期，预计营收将达111-113亿美元，毛利率提升至44%-45%。
在中国市场，美光面临本土存储厂商崛起的竞争压力。未来，该公司能否通过非移动存储业务维持市场存在，仍有待观察。
