话题活动：发表GaN想法和感受，即可获得大奖(绝壁公正）

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在2014年，能支持8kW脉冲输出功率的GaN工艺的X波段放大器已被验证能在雷达系统应用中替代行波管(TWT)和TWT放大器。到2016年，预计会有很多这种支持32kW的固态GaN工艺的共V领放大器出现。在期待这些放大器的同时，我们将考察高功率GaN放大器的一些主要特征和特性。

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，GaN还是反射频电子战(CREW)应用的首选技术，已有成千上万的放大器交付实际使用。

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多款此系列的宽带电子战功率放大器将会在今年发布。

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ADI公司的“比特转RF”计划将整合公司在基带信号处理和GaN功率放大器(PA)技术方面的优势。 通过使用预失真和包络调制等技术，这种整合将有利于提高PA线性度和效率。

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过去几年发布的GaN器件既有分立式场效应晶体管(FET)，也有单芯片微波集成电路(MMIC)，它们已广泛用于高功率微波放大器系统。

一曲一离殇

基于GaN的器件已经在很大程度上取代了砷化镓(GaAs)和硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。

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RF功率放大器设计人员关注GaN器件，因为它们支持非常高的工作电压（比GaAs高三到五倍），并且每单位FET栅极宽度容许的电流大致是GaAs器件的两倍。

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恒值线在20 W平均功率（天线端）参考设计中同样采用了非对称型Doherty架构。

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GaN与LDMOS之间的差异随着频率的增加而增大

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扩大GaN在高功率应用中的使用的主要障碍是其制造成本相对较高，通常比GaAs高出两到三倍，比Si LDMOS器件高出五到七倍。 这阻碍了它在无线基础设施和消费者手持设备等成本敏感型应用中的使用。