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话题活动:发表GaN想法和感受,即可获得大奖(绝壁公正)

 

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41#

lastimy

发表于 2016-7-17 14:22:49 | 只看该作者

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Qorvo 新推出的塑料封装 GaN RF 晶体管可降低 X 波段雷达成本
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42#

RM爱好者

发表于 2016-7-17 14:23:13 | 只看该作者

为了使功率放大器产品(包括驱动器和前置驱动器级)维持高效率,最终Doherty放大器(3.5 GHz频段的绝佳选择)的增益需要尽量高。
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43#

飞行的UPS

发表于 2016-7-17 14:23:33 | 只看该作者

此类器件有多家晶圆厂和器件制造商可以提供,通常采用100 mm碳化硅(SiC)晶圆制造。 硅上氮化镓工艺也在考虑当中,但硅的热导率和电导率相对较差,抵消了其在高性能、高可靠性应用中的成本优势。
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44#

fightingboon

发表于 2016-7-17 14:23:51 | 只看该作者

3.4-3.6 GHz频段的视频带宽必须较高,因为100 MHz的信号带宽已纳入规划,而200 MHz则在讨论中。
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45#

Belight

发表于 2016-7-17 14:24:08 | 只看该作者

在许多高频应用以及所有低频应用(除对成本最为敏感的应用之外)中,基于GaN的器件已经在很大程度上取代了砷化镓(GaAs)和硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。
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46#

Terry-351571

发表于 2016-7-17 14:24:24 | 只看该作者

RF功率放大器设计人员关注GaN器件,因为它们支持非常高的工作电压(比GaAs高三到五倍),并且每单位FET栅极宽度容许的电流大致是GaAs器件的两倍。
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47#

sayuenala

发表于 2016-7-17 14:24:52 | 只看该作者

GaN器件也适用于高可靠性空间应用。
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48#

sayuenala

发表于 2016-7-17 14:25:15 | 只看该作者




8 kW SSPA支持将多个模块式SSPA合并以产生更高的功率水平。
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49#

lukaisi

发表于 2016-7-17 14:25:41 | 只看该作者

设计非对称型Doherty功率放大器时必须格外谨慎,要确保Doherty功率放大器的AM-AM和AM-PM响应平滑且单调,这是配合DPD使用时的必要条件。
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50#

ruigewei5

发表于 2016-7-17 14:25:57 | 只看该作者

ADI公司开发了一款尺寸非常小、功能丰富、多倍频程的放大器,其在115 MHz到2000 MHz范围内可提供50 W输出功率。
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