如下IGBT保护的原理以及工作过程？

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如下是检测IGBT开通时可能出现的过流短路保护电路；T1+、T1-是以T1_E为参考地的双极性供电电源给比较器供电；
比较器正输入引脚主要是两部分组成，一串大电阻和电容组成的分压低通滤波部分，以及IGBT的驱动开通信号T1_P；
检测过流主要是在IGBT开通过程、导通阶段、关断过程保护，关断后不进行保护；
1）低通滤波电阻并联后阻值为2.5M，从集电极C到低通滤波部分的阻值约为1.92M，IGBT保护导通比较端电压是10V；
2）当IGBT关断时，集电极电压很高，此时驱动开通电平T1_P为低电平，晶体管Q7关断，此时就看上半部分的低通滤波电路和晶体管部分在分压电路中分得较高电压，比较器输出高电压光耦原边不发光，副边不导通，输出高电平不保护；
2）当IGBT开通、导通、关断阶段时，只有当T1_P为高电平+15V，晶体管Q7导通比较器同相输入端经分压后输入低于反相输入端参考电平的电压，比较器输出低电平，光耦原边导通，副边输出低电平触发保护；

现在问题是当IGBT驱动电压为15V时，也就是V4=15V，假设IGBT进入一类短路，集电极电压快速上升至母线电压，但是有二极管D1钳位，使得钳位端电压不超过15V；

此时下面晶体管导通，因为集电极电阻相当大，导致此时应该晶体管进入饱和区，运放正相输入端就是晶体管饱和压降，但是晶体管饱和压降一般就是零点几伏，那么如何进行短路保护的？