低噪声快速建立的全片内LDO设计

caroline11

提出了一种集成于射频芯片的低噪声、快速建立的低压差线性稳压器 (LDO o分析了传统 LDO的主要噪声源，在综合考虑芯片的噪声、静态电流和面积后，采用超低频低通滤波器，对 LDO的输出噪声进行优化。基于 SMIC0．18Ixm工艺，采用 Cadence软件对电路进行仿真。结果表明，10Hz到 100kHz之间的输出积分噪声电压为 17 ，建立时间小于 l8 s，总静态电流为 24 ，满足 LDO的应用要求。