【颁奖】GaN器件知多少？Qorvo GaN器件大起底！

那些埋头写程序的岁月

网站：
产品
驱动放大器：
QPM1000
描述：
2 - 20 GHz Limiter / Low Noise Amplifier

191925882

大功率 GaN 开关
网站：大功率GaN开关
QPC1006
描述：0.15 - 2.8 GHz High Power GaN SP3T Switch

zhyouer

全新QPD1003采用Qorvo高性能氮化镓（GaN）技术，可满足在1.2至1.4GHz频率范围内工作的有源电子扫描阵列（AESA）雷达等高功率相位阵列的性能需求。这些系统要求PA以最大效率工作，从而在严苛的环境条件下降低热量生成。全新QPD1003可通过创新应用高效的碳化硅基氮化镓（GaN on SiC）技术来应对这些要求。

Qorvo高性能解决方案事业部总经理Roger Hall表示：“这是首款也是唯一一款用于AESA雷达的紧凑型、内部匹配的高功率L频段PA。其突破性技术将为客户带来可观的成本优势和性能提升。”

除了QPD1003 L频段PA，Qorvo还发布了一款450W S频段PA，设计用于3.1至3.5 GHz S频段雷达系统。这两款器件相对传统GaN晶体管而言，都具备尺寸更小和实施简单的优势。它们可以通过一个匹配设计覆盖多个频段，从而减少用于数千瓦阵列时的电路占位面积和总体复杂性。此外，降低功耗还可降低系统的冷却需求，从而进一步减少系统操作。

zhyouer

RFFM4554
5 GHz 802.11a/n/ac Wi-Fi Front End Module
关键性能

13.5dB LNA Gain
5dB Bypass Loss
1.7dB Noise Figure
TX to ANT path loss of 0.5dB
Max Power at TX Input of 30dBm
2.4GHz Rejection
Input and Output Matched to 50 ohm
Break out path between switch and LNA for optimal filter placement
Supports VCC supply range from 3.0V to 5.25V

295951389

GaN HEMT
网站：GaNHEMT

TGF2941
描述：DC - 25 GHz, 4 Watt, 28 V GaN RF Transistor

小牛555

QPD1010,
全新50V氮化镓（GaN）晶体管,
用于优化商业用雷达、通信系统及航空电子应用的功率性能,
应用频率范围：DC-4 GHz，
增益：25dB

小牛555

QPD1010,
全新50V氮化镓（GaN）晶体管,
用于优化商业用雷达、通信系统及航空电子应用的功率性能,
应用频率范围：DC-4 GHz，
增益：25dB

小牛555

QPD1010,
全新50V氮化镓（GaN）晶体管,
用于优化商业用雷达、通信系统及航空电子应用的功率性能,
应用频率范围：DC-4 GHz，
增益：25dB

295951389

GaN HEMT 系列
QPD0050
DC - 3.6 GHz, 75 Watt, 48 V GaN RF Power Transistor

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GaN HEMT 系列
QPD0060
DC - 3.6 GHz, 90 Watt, 48 V GaN RF Power Transistor