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话题活动:发表GaN想法和感受,即可获得大奖(绝壁公正)

 

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421#

RM爱好者

发表于 2016-7-23 22:10:15 | 只看该作者

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扩大GaN在高功率应用中的使用的主要障碍是其制造成本相对较高,通常比GaAs高出两到三倍,比Si LDMOS器件高出五到七倍。 这阻碍了它在无线基础设施和消费者手持设备等成本敏感型应用中的使用。
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422#

RM爱好者

发表于 2016-7-23 22:10:22 | 只看该作者

氮化钾~现在除了做功率半导体PA之外.也可以做低噪放了~
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423#

RM爱好者

发表于 2016-7-23 22:10:27 | 只看该作者

GaN,即氮化镓,属六角纤锌矿结构。在T=300K时为,是半导体照明中发光二极管的核心组成部份。通常工业上采用MOCVD设备来生长。
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424#

feilg

发表于 2016-7-23 22:10:34 | 只看该作者

为了使功率放大器产品(包括驱动器和前置驱动器级)维持高效率,最终Doherty放大器(3.5 GHz频段的绝佳选择)的增益需要尽量高。
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425#

feilg

发表于 2016-7-23 22:10:41 | 只看该作者

3.4-3.6 GHz频段的视频带宽必须较高,因为100 MHz的信号带宽已纳入规划,而200 MHz则在讨论中。
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426#

熊孩子a

发表于 2016-7-23 22:10:52 | 只看该作者

GHz以上的宽带应用,ADI公司也开发了一款GaN放大器,其可在2 GHz到18 GHz频段产生50 W连续波(CW)输出功率。 这款放大器采用商用10 W GaN MMIC,其输出功率贡献通过宽带低损耗功率合成器加以合并。
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427#

熊孩子a

发表于 2016-7-23 22:11:00 | 只看该作者

通过降低器件的寄生参数,以及采用更短的栅极长度和更高的工作电压,GaN晶体管已实现更高的输出功率密度、更宽的带宽和更好的DC转RF效率。
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428#

熊孩子a

发表于 2016-7-23 22:11:06 | 只看该作者

随着栅极长度的缩短,基于GaN的SSPA将能支持更高的工作频率,因此会有越来越多的GaN器件用于工作在毫米波频率的系统
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429#

熊孩子a

发表于 2016-7-23 22:11:15 | 只看该作者

当前GaN改善性能并降低成本的趋势应当会持续一段时间。
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430#

熊孩子a

发表于 2016-7-23 22:11:22 | 只看该作者

GHz以上的宽带应用,ADI公司也开发了一款GaN放大器,其可在2 GHz到18 GHz频段产生50 W连续波(CW)输出功率。
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