503回答

1收藏

话题活动:发表GaN想法和感受,即可获得大奖(绝壁公正)

 

回答|共 503 个

倒序浏览

391#

烙馍菜盒

发表于 2016-7-23 22:05:59 | 只看该作者

分享到:
恒值线在20 W平均功率(天线端)参考设计中同样采用了非对称型Doherty架构。
回复 支持 反对

使用道具 举报

392#

烙馍菜盒

发表于 2016-7-23 22:06:06 | 只看该作者

GaN与LDMOS之间的差异随着频率的增加而增大
回复 支持 反对

使用道具 举报

393#

烙馍菜盒

发表于 2016-7-23 22:06:13 | 只看该作者

扩大GaN在高功率应用中的使用的主要障碍是其制造成本相对较高,通常比GaAs高出两到三倍,比Si LDMOS器件高出五到七倍。 这阻碍了它在无线基础设施和消费者手持设备等成本敏感型应用中的使用。
回复 支持 反对

使用道具 举报

394#

烙馍菜盒

发表于 2016-7-23 22:06:24 | 只看该作者

氮化镓(GaN)功率半导体技术为提高RF/微波功率放大的性能水平作出了巨大贡献。 通过降低器件的寄生参数,以及采用更短的栅极长度和更高的工作电压
回复 支持 反对

使用道具 举报

395#

烙馍菜盒

发表于 2016-7-23 22:06:32 | 只看该作者

氮化钾~现在除了做功率半导体PA之外.也可以做低噪放了~
回复 支持 反对

使用道具 举报

396#

烙馍菜盒

发表于 2016-7-23 22:06:39 | 只看该作者

硅基氮化钾是趋势~成本会降低很多。MA_COM主打硅基。
回复 支持 反对

使用道具 举报

397#

卖萌娃

发表于 2016-7-23 22:06:48 | 只看该作者

GaN,即氮化镓,属六角纤锌矿结构。在T=300K时为,是半导体照明中发光二极管的核心组成部份。通常工业上采用MOCVD设备来生长。
回复 支持 反对

使用道具 举报

398#

bob1kong

发表于 2016-7-23 22:06:56 | 只看该作者

有了雷达,可以预防陨石,恐怖事件,敌国入侵等等。
回复 支持 反对

使用道具 举报

399#

bob1kong

发表于 2016-7-23 22:07:03 | 只看该作者

为了使功率放大器产品(包括驱动器和前置驱动器级)维持高效率,最终Doherty放大器(3.5 GHz频段的绝佳选择)的增益需要尽量高。
回复 支持 反对

使用道具 举报

400#

bob1kong

发表于 2016-7-23 22:07:12 | 只看该作者

3.4-3.6 GHz频段的视频带宽必须较高,因为100 MHz的信号带宽已纳入规划,而200 MHz则在讨论中。
回复 支持 反对

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 注册/登录

本版积分规则

关闭

站长推荐上一条 /3 下一条