话题活动：发表GaN想法和感受，即可获得大奖(绝壁公正）

咖啡墨 · 发表于 2016-7-20 20:12:31

GaN技术可以在安全的频率上实现高效的电力传输，这对硅晶体管而言，是一件艰难的工作。将GaN技术带到更高的电压和更高的频率，可以扩展无线电力传输的距离。

accelerating · 发表于 2016-7-20 20:13:20

与硅器件相比，由于氮化镓的晶体具备更强的化学键，因此它可以承受比硅器件高出很多倍的电场而不会崩溃。这意味我们可以把晶体管的各个电端子之间的距离缩短十倍。这样可以实现更低的电阻损耗，以及电子具备更短的转换时间。总的来说，氮化镓器件具备更快速的开关、更低的功率损耗及更低的成本优势。

sunkong · 发表于 2016-7-20 20:13:48

我们为工程师带来可支持意想不到的全新领域的功率器件。在电阻方面，之前我们在DC/DC转换器并联氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)从而实现更高的输出电流。

sdgk · 发表于 2016-7-20 20:14:10

至于封装方面，eGaN FET如果使用MOSFET的传统封装不会比MOSFET更好。如果使用芯片规模封装，结果却截然不同。

lastimy · 发表于 2016-7-20 20:14:28

eGaN FET可以双面散热从而可以进一步提高其散热效率。至于从结点至外壳(RθJC)的热阻，除了30 V的MOSFET具有与eGaN FET可比的热阻外，在更高压时，eGaN FET具备无可匹敌的散热性能。

bobbi · 发表于 2016-7-20 20:15:13

LED将成为主导产品，GaN晶体管也将随材料生长和器件工艺的发展而迅猛发展，成为新一代高温度频大功率器件。

RM爱好者 · 发表于 2016-7-20 20:16:19

对于GaN材料，长期以来由于衬底单晶没有解决，异质外延缺陷密度相当高，但是器件水平已可实用化。

zhaoxianden · 发表于 2016-7-20 20:17:48

①禁带宽度大（3.4eV），热导率高（1.3W/cm-K），则工作温度高，击穿电压高，抗辐射能力强；
②导带底在Γ点，而且与导带的其他能谷之间能量差大，则不易产生谷间散射，从而能得到很高的强场漂移速度（电子漂移速度不易饱和）；
③GaN易与AlN、InN等构成混晶，能制成各种异质结构，已经得到了低温下迁移率达到105cm2/Vs的2-DEG（因为2-DEG面密度较高，有效地屏蔽了光学声子散射、电离杂质散射和压电散射等因素）；
④晶格对称性比较低（为六方纤锌矿结构或四方亚稳的闪锌矿结构），具有很强的压电性（非中心对称所致）和铁电性（沿六方c轴自发极化）：在异质结界面附近产生很强的压电极化（极化电场达2MV/cm）和自发极化（极化电场达3MV/cm），感生出极高密度的界面电荷，强烈调制了异质结的能带结构，加强了对2-DEG的二维空间限制，从而提高了2-DEG的面密度（在AlGaN/GaN异质结中可达到1013/cm2，这比AlGaAs/GaAs异质结中的高一个数量级），这对器件工作很有意义。
总之，从整体来看，GaN的优点弥补了其缺点，特别是通过异质结的作用，其有效输运性能并不亚于GaAs，而制作微波功率器件的效果（微波输出功率密度上）还往往要远优于现有的一切半导体材料。

植物大战奥特曼 · 发表于 2016-7-20 20:18:45

！！！！！！！顶顶顶

huachuixuezhiwu · 发表于 2016-7-21 08:27:48

离二等奖还差100楼，小伙伴们加油

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