话题活动：发表GaN想法和感受，即可获得大奖(绝壁公正）

JonhLee · 发表于 2016-7-18 22:18:51

当前GaN改善性能并降低成本的趋势应当会持续一段时间。

yuanhaididai · 发表于 2016-7-20 13:53:01

GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。各种新型材料的开发将使我们的科技进步更快，产品价格更低廉。

ericy · 发表于 2016-7-20 13:55:23

已知镓（Ga）+3价，N为-3价；合成钠米氮化镓.

kaierwen · 发表于 2016-7-20 14:49:34

GaN晶体管已实现更高的输出功率密度、更宽的带宽和更好的DC转RF效率。对于一般的三极管，GaN优势很大，很有发展空间

zero99 · 发表于 2016-7-20 16:29:27

第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料

doatello · 发表于 2016-7-20 17:05:54

现在射频上广泛运用的是GaAs，也就是砷化镓，GaN在射频的各个方面的表现完全优于砷化镓~在不久的未来一定能广泛的运用到射频通讯中~

砂漠之海 · 发表于 2016-7-20 17:08:38

GaN如果真的能普及的话，带来的将是通讯界的变革！速度刷刷的向上涨!未来的5G很有可能是GaN的天下~

bobbi · 发表于 2016-7-20 20:06:58

氮化镓场效应晶体管（FET）可以分立晶体管和单片半桥的形式来供应，其性能要比目前最好的商用硅MOSFET好10倍。

莎啦啦 · 发表于 2016-7-20 20:11:55

在恶劣的环境下使用的电源转换器，例如太空中，必须要有能耐承受辐射所造成的损害。在电气性能方面，氮化镓场效应晶体管好40倍，本身能够承受老化的辐射耐受功率MOSFET（radiation tolerant power MOSFET）的10倍的辐射（与其商业上的对手相比，辐射耐受MOSFET的性能明显差很多）。

feilg · 发表于 2016-7-20 20:12:13

GaN技术可以在安全的频率上实现高效的电力传输，这对硅晶体管而言，是一件艰难的工作。将GaN技术带到更高的电压和更高的频率，可以扩展无线电力传输的距离。

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