用MOS管控制+48V通断，用一个三极管控制该MOS管，实现电流短路保护，但电流保护部分不正常。(讨论)
模拟/电源
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2011-05-27
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1.+48V和三角地之间带负载，
2.前半部分电路经测试，用单片机管脚可以控制MOS管的开断.
3.后半部分是短路保护电路，D2,R1,D8,Q3,R15,构成短路保护电路，当负载电流过大或短路时，流过R17的电流会增加，电压也会增加，从而Q3的CE接通，将MOS管的G端拉低，MOS管关断。起到保护作用，同时D8指示灯会亮，说明有短路保护情况发生。现在测试的情况是：上电后MOS管的GS端会损坏，会一直通着。GS的开启电压是10V，击穿电压是±20V.不知道为什么会这样。
请问此保护电路是否有问题？MOS管怎么老是损坏？ |
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沙发
HelloRocky
发表于 2011-5-28 11:02:47
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RE:用MOS管控制+48V通断，用一个三极管控制该MOS管，实现电流短路保护，但电流保护部分不正常。(讨论)
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地有问题。前面MCU的驱动也有问题，推挽本质是射极跟随，要先做电平移动再能接推挽。 |
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板凳
pengxuewen-154043
发表于 2011-5-29 01:09:36
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回复:用MOS管控制+48V通断，用一个三极管控制该MOS管，实现电流短路保护，但电流保护部分不正常。(讨论)
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地板
power_lol
发表于 2011-5-30 23:08:07
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RE:用MOS管控制+48V通断，用一个三极管控制该MOS管，实现电流短路保护，但电流保护部分不正常。(讨论)
如果那个场效应管耐压不足的话在开路的情况就把场效应管秒了，
还有那个稳压管在小电流流过的时候相当于导通，也就是说稳压管无效，
除非你在稳压管下面下拉一个电阻，
还有R5和R6的电阻相同，也就说G的电压会是R5左边的电压一半，不用说也是导通，MCU输出的电压对于48V很低，
5V供电MCU时R4右边得到4V多点，通过Q1射随得到3.4V,向C1充电，
然后通过R5对Q2的G充电（场效应管输入可以看作一个电容），期间产生一个半导状态，一旦功耗过大烧毁，
Q2和R1以及D8通过R6 直接对G，这个已经导通了（也许在半导状态）， |
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