JSM11P20 200V P沟道MOSFET

Channel: 杰盛微半导体JSMSEMI
Description: JSMSEMI推出的JSM11P20是一款200V P-Channel MOSFET，具备快速开关、100% 雪崩测试验证、改进的 dv/dt 能力三大核心特性，主要应用于开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、功率因数校正（PFC） 领域；提供TO-220F、TO-220、TO-247S、TO-3P四种封装，

10/31 11:36 作者：杰盛微半导体JSMSEMI

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JSMSEMI推出的JSM11P20是一款200V P-Channel MOSFET，具备快速开关、100% 雪崩测试验证、改进的 dv/dt 能力三大核心特性，主要应用于开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、功率因数校正（PFC）领域；提供TO-220F、TO-220、TO-247S、TO-3P四种封装，对应器件标记分别为 JSM11P20F、JSM11P20C、JSM11P20P、JSM11P20P；关键电气参数包括漏源电压（V_DSS）-200V、连续漏极电流（I_D）-11A、导通电阻（R_DS (on)）最大 0.42Ω（VGS=-10V、ID=-6.6A 条件下），工作结温与存储温度范围为 -55~+150℃。可替代 IRF9240