JSM90N20P 220V N沟道MOSFET

JSM90N20P 是杰盛微JSMSEMI推出的220V N-Channel MOSFET，提供TO-3P和TO-247两种封装（器件标识均为 JSM90N20P）。其核心绝对最大额定值（TC=25?C）包括漏源电压 V_DSS=220V、连续漏极电流 I_D=90A（VGS=10V）、脉冲漏极电流 I_DM=360A、功率耗散 P_D=940W，结温与储存温度范围为 - 55~+150?C；热阻参数为结到壳 R_thJC=0.89?C/W、结到环境 R_thJA=60?C/W。器件具备快速开关、100% 雪崩测试、改进 dv/dt 能力三大特性，静态 / 动态电气参数（如漏源导通电阻 R_on (cond) max35mΩ、总栅极电荷 Q_g typ367nC）与体二极管特性（如连续电流 I_S=90A、反向恢复时间 t_rr typ360ns）优异，主要应用于开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、功率因数校正（PFC） 领域。